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CSD17579Q5A-CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD17579Q5A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17579Q5A-CSD17579Q5A 30V N 通道  NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
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CSD17579Q5A - CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD17579Q5A是TI公司(德州仪器)的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD17579Q5A是CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本站介绍了CSD17579Q5A的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD17579Q5A相关的TI元器件型号供参考.

CSD17579Q5A - CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) - TI德州仪器(Texas Instruments)

产品特性
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明

这款 30V,8.4mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)5.4nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)1.2nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V11.6
VGS = 10V8.4
VGS(th)阈值电压1.5V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD17579Q5A13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD17579Q5AT7 英寸卷带250
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    DDPAK/TO-263-7
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