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CSD19532Q5B-N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B
CSD19532Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19532Q5B-CSD19532Q5B 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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CSD19532Q5B - N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B

CSD19532Q5B是TI公司(德州仪器)的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD19532Q5B是N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19532Q5B,本站介绍了CSD19532Q5B的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD19532Q5B相关的TI元器件型号供参考.

CSD19532Q5B - CSD19532Q5B 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A) - TI德州仪器(Texas Instruments)

产品特性
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 针对离线和隔离式直流 - 直流转换器的同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 4mΩ,100V,SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)48nC
Qgd栅漏栅极电荷8.7nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS= 6V4.6
VGS = 10V4
VGS(th)阀值电压2.6V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD19532Q5B13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD19532Q5BT13 英寸卷带250
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