• VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）
• 2A 有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 短路期间的软关断 (STO)
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位
• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
• 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
• 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
• 工作环境温度范围：–40°C 至 125°C
• 抗浪涌保护 12800 VPK（根据 IEC 61000-4-5）
• 安全及管理认证：
  • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
  • CSA 组件接受通知 5A，IEC 60950-1、IEC 60601-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 已通过所有认证

• 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器
  • 工业电机控制驱动器
  • 工业用电源
  • 太阳能逆变器
  • 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
  • 感应加热

ISO5852S 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL），可提供 2.5A 的拉电流和 5A 的灌电流。 输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”。 输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。 两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。 76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”。 检测到 DESAT 时，“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁止 OUTH 并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs。中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”。 当 OUTL 达到 2V 时（相对于最大负电源电势 VEE2），栅极驱动器输出会被“硬”拉至 VEE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 “静音”逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，并只能在 RDY 变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。的第 3 段