此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化

顶视图 RθJA = 45°C/W所需满足的条件是贴装在面积为 1in2 Cu (2 oz.)，厚度为0.060"的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上。脉宽≤300μs，占空比≤2%

• 针对 5V 栅极驱动而优化
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热阻抗
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无引线小外形尺寸(SON)3.3mm x 3.3mm塑料封装

• OPA376-Q1 - 汽车类低噪声、低 Iq 精密运算放大器
• AFE7070 - 集成 NCO、双通道 14 位 65MSPS DAC、射频 IQ 调制器和 LVDS 输出选项
• HPC3130A - 热插拔控制器
• LM2742 - 具有可调节软启动的 2.2-16V、电压模式同步降压控制器
• LM34919C-Q1 - 针对空间受限型应用的超小型宽输入电压 600mA 降压转换器
• TLV733P - 用于便携式器件带有折返电流限制的无电容器，300mA，低压降稳压器
• ADS8361 - 4 通道串行输出 16 位 500kSPS 2 ADC
• INA270 - Voltage Output High-Side Measurement Current-Shunt Monitor
• LP8728-Q1 - 四路输出降压 DC/DC 转换器
• TM4C1236H6PM - Tiva C Series Microcontroller