此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化

顶视图 RθJA = 45°C/W所需满足的条件是贴装在面积为 1in2 Cu (2 oz.)，厚度为0.060"的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上。脉宽≤300μs，占空比≤2%

• 针对 5V 栅极驱动而优化
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热阻抗
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无引线小外形尺寸(SON)3.3mm x 3.3mm塑料封装

• DSD1702 - 108dB SNR 立体声音频 DAC
• REF5040 - 低噪声、极低漂移、高精度电压基准
• ADS6144 - 具有可选并行 CMOS 或 LVDS 输出的低功耗 14 位 105MSPS ADC
• TPS81256 - 集成电源解决方案，采用 MicroSiPT 封装的 3W 高效升压转换器
• THS1408M - 14 位、8MSPS ADC，具有单通道、差动输入、DSP/uP 接口、可编程增益放大器、内部 S&H
• TPS2231 - ExpressCard 单电源接口开关
• TPS82673 - 600-mA、高效 MicroSiP? 降压转换器（截面 <1.0mm）。
• BQ771800 - 用于 2 至 5 节锂离子电池（具有内部延迟定时器）的过压保护
• SN54AC00-DIE - RadTolerant Class V, Quadruple 2-Input Positive-NAND Gate
• TPS61050 - 具有 I2C 兼容接口的 1.2A 高功率白光 LED 驱动器