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CSD16327Q3 - 产品图解：
CSD16327Q3 - N 通道 NexFET 功率 MOSFET。
CSD16327Q3是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD16327Q3是N 通道 NexFET 功率 MOSFET。，本页介绍了CSD16327Q3的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD16327Q3相关的TI元器件型号供参考。
CSD16327Q3 - N 通道 NexFET 功率 MOSFET。 - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品描述
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化
顶视图 RθJA = 45°C/W所需满足的条件是贴装在面积为 1in2 Cu (2 oz.)，厚度为0.060"的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上。脉宽≤300μs，占空比≤2%产品特性
- 针对 5V 栅极驱动而优化
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 低热阻抗
- 额定雪崩能量
- 无铅端子封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无引线小外形尺寸(SON)3.3mm x 3.3mm塑料封装
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