
CSD16340Q3技术文档下载:
CSD16340Q3 - 产品图解:



TI芯片:
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- CDCE18005EVM - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- ULN2003ADRE4 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列



CSD16340Q3 - 25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD16340Q3是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD16340Q3是25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本站介绍了CSD16340Q3的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD16340Q3相关的TI元器件型号供参考。
CSD16340Q3 - 25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Optimized for 5 V Gate Drive
- Resistance Rated at VGS =2.5 V
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
产品应用
- Point of Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computing Systems
- Optimized for Control or Synchronous FET Applications
产品说明
This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5 V gate drive applications.
Top View
Product Summary
| TA = 25°C | VALUE | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | Drain-to-Source Voltage | 25 | V | |
| Qg | Gate Charge Total (4.5 V) | 6.5 | nC | |
| Qgd | Gate Charge Gate-to-Drain | 1.2 | nC | |
| RDS(on) | Drain-to-Source On-Resistance | VGS = 2.5 V | 6.1 | mΩ |
| VGS = 4.5 V | 4.3 | mΩ | ||
| VGS = 8 V | 3.8 | mΩ | ||
| Vth | Threshold Voltage | 0.85 | V | |
Ordering Information(1)
| Device | Media | Qty | Package | Ship |
|---|---|---|---|---|
| CSD16340Q3 | 13-Inch Reel | 2500 | SON 3.3 x 3.3 mm Plastic Package | Tape and Reel |
| CSD16340Q3T | 7-Inch Reel | 250 |
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