此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%

• 针对 5V 栅极驱动而优化
• VGS = 2.5V 时的额定电阻值
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热电阻
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

• UCC27322-EP - 具有使能端的增强型单路 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器
• TPS92510 - 用于 HB LED 的 1.5A 恒流降压转换器
• ADS41B25 - 12 位 125MSPS 缓冲低功耗 ADC
• SN65LVDS86A-Q1 - 汽车类 FlatLink 接收器
• TPS61281A - TPS6128xA 低压前端电源管理 IC
• TPD4E6B06 - TPD4E6B06 4 通道双向低电容 ESD 保护器件
• CD54HC191 - 高速 CMOS 逻辑可预设置的同步 4 位二进制加/减计数器
• ADS7822-Q1 - 汽车类 12 位 200kSPS 微功耗采样模数转换器
• CD74HC4016 - 高速 CMOS 逻辑四路双向开关
• TPS51220 - 固定频率 99% 占空比峰值电流模式笔记本系统功率控制器