此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。

在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2%

• 针对 5V 栅极驱动而优化
• VGS = 2.5V 时的额定电阻值
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 低热电阻
• 额定雪崩能量
• 无铅端子封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

• TMS320F28068F - TMS320F28069F、TMS320F2806 8F、TMS320F28062F InstaSPIN-FOC
• TMDS261B - 2 选 1 HDMI 开关
• LM2594HV - SIMPLE SWITCHER 电源转换器 150 kHz 0.5A 降压电压稳压器
• SN54LVTH162374 - 具有三态输出的 3.3V ABT 16 位边沿 D 类触发器
• LMP91300 - LMP91300 电感接近传感器 AFE
• ISO7420M - 低功耗双通道隔离器
• LM2575 - 1A 简单步降开关稳压器，可调节
• TRF370333 - 0.4 - 4.0 GHz IQ Modulator
• ADS7851 - 双路，625 kSPS，16、14 和 12 位同步采样模数转换器
• BQ76925 - 用于 3 至 6 节锂离子电池的模拟前端