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CSD16570Q5B - 产品图解：
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- UCC28610P - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > AC DC 转换器，离线开关
- LMH6723MA/NOPB - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- LM317KC - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- MSP430F2111TPWR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- DAC7641YB/2K - 集成电路（IC） > 数据采集 > 数模转换器（DAC）
- AMC1204BDW - 集成电路（IC） > 数据采集 > ADC/DAC - 特殊用途
- DS90UB924TRHSTQ1 - 集成电路（IC） > 接口 > 串行器，解串器
CSD16570Q5B - CSD16570Q5B，25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD16570Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD16570Q5B是CSD16570Q5B，25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD16570Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD16570Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD16570Q5B - CSD16570Q5B，25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 极低电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- ORing 和热插拔应用
产品说明
这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻，并不是专用于开关应用。
顶部图标产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 25 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 95 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 31 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 0.68 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.49 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16570Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD16570Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
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