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CSD16570Q5B - 产品图解:
CSD16570Q5B-CSD16570Q5B,25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD16570Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD16570Q5B-CSD16570Q5B 25V N 通道  NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片:
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TI产品 - CSD16570Q5B介绍

CSD16570Q5B - CSD16570Q5B,25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD16570Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD16570Q5B是CSD16570Q5B,25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本站介绍了CSD16570Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD16570Q5B相关的TI元器件型号供参考。

CSD16570Q5B - CSD16570Q5B,25V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 极低电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • ORing 和热插拔应用
产品说明

这款 25V,0.49mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的设计目的是最大限度地减少 ORing 和热插拔应用的电阻,并不是专用于开关应用。

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产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压25V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)95nC
Qgd栅漏栅极电荷31nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V0.68
VGS = 10V0.49
VGS(th)阀值电压1.5V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD16570Q5B250013 英寸卷带SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD16570Q5BT2507 英寸卷带
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