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CSD17308Q3 - 产品图解：
CSD17308Q3-30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD17308Q3-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17308Q3-CSD17308Q3 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
TI芯片：
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TI产品 - CSD17308Q3介绍

CSD17308Q3 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET

CSD17308Q3是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17308Q3是30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本站介绍了CSD17308Q3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17308Q3相关的TI元器件型号供参考。

CSD17308Q3 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • VSON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
产品应用
  • Notebook Point of Load
  • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
产品说明

This 30-V, 8.2-mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm VSON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5-V gate drive applications.

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Product Summary
TA = 25°CVALUEUNIT
VDSDrain-to-source voltage30V
QgGate charge total (4.5 V)3.9nC
QgdGate charge gate to drain0.8nC
RDS(on)Drain-to-source on resistanceVGS = 3 V12.5mΩ
VGS = 4.5 V9.4mΩ
VGS = 8 V8.2mΩ
VGS(th)Threshold voltage1.3V
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