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CSD17309Q3 - 产品图解：
TI芯片：
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- LM385Z-1.2/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
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- TLV9061SQDBVRQ1 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- SNJ54ALS832AJ - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- LM5115AMT/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源控制器，监视器
- MSP430FR2033IG56R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SN74AHC08QDRG4Q1 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- TPS40075RHLTG4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
- LM3700XCBP-308/NOPB - 电源管理IC - 监控器
CSD17309Q3 - 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD17309Q3是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17309Q3是30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD17309Q3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17309Q3相关的TI元器件型号供参考。
CSD17309Q3 - 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Optimized for 5 V Gate Drive
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
产品应用
- Notebook Point of Load
- Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
产品说明
This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.
Top ViewProduct Summary
| TA = 25°C | TYPICAL VALUE | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | Drain-to-Source Voltage | 30 | V | |
| Qg | Gate Charge Total (4.5 V) | 7.5 | nC | |
| Qgd | Gate Charge Gate-to-Drain | 1.7 | nC | |
| RDS(on) | Drain-to-Source On-Resistance | VGS = 3 V | 6.3 | mΩ |
| VGS = 4.5 V | 4.9 | |||
| VGS = 8 V | 4.2 | |||
| VGS(th) | Threshold Voltage | 1.2 | V | |
Ordering Information(1)
| Device | Media | Qty | Package | Ship |
|---|---|---|---|---|
| CSD17309Q3 | 13-Inch Reel | 2500 | SON 3.3 × 3.3 mm Plastic Package | Tape and Reel |
| CSD17309Q3T | 7-Inch Reel | 250 |
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