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CSD17571Q2 - 产品图解：
CSD17571Q2-30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q
CSD17571Q2-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17571Q2-CSD17571Q2 30V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
TI芯片：
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TI产品 - CSD17571Q2介绍

CSD17571Q2 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q

CSD17571Q2是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17571Q2是30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q，本站介绍了CSD17571Q2的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17571Q2相关的TI元器件型号供参考。

CSD17571Q2 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
2 应用范围
  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)2.4nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）0.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V 24 mΩ
VGS = 10V20mΩ
VGS(th)阈值电压1.6V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD17571Q27 英寸卷带3000SON 2mm x 2mm 塑料封装卷带封装
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