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CSD17571Q2 - 产品图解：
CSD17571Q2 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q
CSD17571Q2是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17571Q2是30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q，本页介绍了CSD17571Q2的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD17571Q2相关的TI元器件型号供参考。
CSD17571Q2 - 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
2 应用范围
- 针对负载开关应用进行了优化
- 存储、平板电脑和手持设备
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明
这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 2.4 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 0.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 24 | mΩ |
| VGS = 10V | 20 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.6 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17571Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 | 卷带封装 |
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