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CSD17573Q5B - 产品图解：
CSD17573Q5B - CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD17573Q5B是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17573Q5B是CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本页介绍了CSD17573Q5B的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD17573Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD17573Q5B - CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 超低导通电阻 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品说明
这款 0.84mΩ、30V、SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
俯视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 49 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 11.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.19 | mΩ |
| VGS = 10V | 0.84 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.4 | V | |
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