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CSD17573Q5B - 产品图解：
CSD17573Q5B-CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD17573Q5B-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17573Q5B-CSD17573Q5B 30V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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TI产品 - CSD17573Q5B介绍

CSD17573Q5B - CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

CSD17573Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17573Q5B是CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本站介绍了CSD17573Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17573Q5B相关的TI元器件型号供参考。

CSD17573Q5B - CSD17573Q5B 30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品说明

这款 0.84mΩ、30V、SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

俯视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)49nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）11.9nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V1.19mΩ
VGS = 10V0.84mΩ
VGS(th)阈值电压1.4V
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