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CSD17575Q3 - 产品图解：
CSD17575Q3 - 30V，N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD17575Q3是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17575Q3是30V，N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，本页介绍了CSD17575Q3的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD17575Q3相关的TI元器件型号供参考。
CSD17575Q3 - 30V，N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品说明
这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 23 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 5.4 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5 V | 2.6 | mΩ |
| VGS = 10V | 1.9 | |||
| Vth | 阀值电压 | 1.4 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17575Q3 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17575Q3T | 13 英寸卷带 | 250 |
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