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CSD17578Q3A - 产品图解:



TI芯片:
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- LM317HVK STEEL - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- LP2985-30DBVR - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- SN74ACT240QDGSRQ1 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- ULN2003ANE4 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列



CSD17578Q3A - CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD17578Q3A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD17578Q3A是CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本站介绍了CSD17578Q3A的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD17578Q3A相关的TI元器件型号供参考。
CSD17578Q3A - CSD17578Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
- 用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明
这款 30V,6.3mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 7.9 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.7 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 8.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 6.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17578Q3A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17578Q3AT | 7 英寸卷带 | 250 |
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