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CSD17579Q3A - 产品图解：
TI芯片：
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- TLC339CPW - 集成电路（IC） > 线性 > 比较器
- MSP430F412IPMR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- THS3001CDG4 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
CSD17579Q3A - CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD17579Q3A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17579Q3A是CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD17579Q3A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17579Q3A相关的TI元器件型号供参考。
CSD17579Q3A - CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明
这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 5.3 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.2 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 11.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 8.7 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.5 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD17579Q3A | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD17579Q3AT | 7 英寸卷带 | 250 |
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