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CSD17579Q3A - 产品图解：
CSD17579Q3A-CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD17579Q3A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD17579Q3A-CSD17579Q3A 30V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
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TI产品 - CSD17579Q3A介绍

CSD17579Q3A - CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD17579Q3A是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD17579Q3A是CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD17579Q3A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD17579Q3A相关的TI元器件型号供参考。

CSD17579Q3A - CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品说明

这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)5.3nC
Qgd栅漏栅极电荷1.2nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V11.8mΩ
VGS = 10V8.7mΩ
VGS(th)阀值电压1.5V
订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD17579Q3A13 英寸卷带2500SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装卷带封装
CSD17579Q3AT7 英寸卷带250
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