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CSD18509Q5B - 产品图解：
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- SN65HVD101EVM - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- MSP430FR5732IPW - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- ADC10065CIMT/NOPB - 集成电路（IC） > 数据采集 > 模数转换器（ADC）
- TPS62402DRCRG4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
- LM22674MRE-ADJ/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
CSD18509Q5B - 40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B
CSD18509Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD18509Q5B是40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B，本站介绍了CSD18509Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD18509Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD18509Q5B - 40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低导通电阻
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 1mΩ，40V，SON 5 x 6 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 40 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 150 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 17 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 1.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 1.0 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 1.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18509Q5B | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD18509Q5BT | 250 | 7 英寸卷带 |
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