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CSD18542KCS - 产品图解：
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- MSP430F5328IZQE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
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- SN65LVDS31DRG4 - 集成电路（IC） > 接口 > 驱动器，接收器，收发器
- SN74AS821ANT - 集成电路（IC） > 逻辑 > 触发器
- CD74HC165MTE4 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 移位寄存器
CSD18542KCS - CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD18542KCS是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD18542KCS是CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD18542KCS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD18542KCS相关的TI元器件型号供参考。
CSD18542KCS - CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 60V，3.3mΩ，TO-220 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 44 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 6.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V | 4.0 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD18542KCS | 50 | 管 | TO-220 塑料封装 | 管 |
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