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CSD18563Q5A - 产品图解:
CSD18563Q5A-60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A
CSD18563Q5A-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD18563Q5A-CSD18563Q5A 60V N 沟道  NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. B)
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TI产品 - CSD18563Q5A介绍
CSD18563Q5A - 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A

CSD18563Q5A是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD18563Q5A是60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A,本页介绍了CSD18563Q5A的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD18563Q5A相关的TI元器件型号供参考。

CSD18563Q5A - 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18563Q5A - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制
产品说明

这款 5.7mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图
产品概要
TA = 25°C典型值单位
VDS漏源电压60V
Qg栅极电荷总量 (10V)15.0nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)2.9nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 4.5V8.6
VGS = 10V5.7
VGS(th)阈值电压2.0V
。 订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD18563Q5A13 英寸卷带2500SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带
CSD18563Q5AT7 英寸卷带250
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