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CSD19502Q5B - 产品图解：
TI芯片：
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- LM3S8733-EQC50-A2T - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TPS2557DRBEVM-423 - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
CSD19502Q5B - N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B
CSD19502Q5B是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19502Q5B是N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B，本站介绍了CSD19502Q5B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19502Q5B相关的TI元器件型号供参考。
CSD19502Q5B - N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 80 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 48 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 8.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 6V | 3.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 3.4 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.7 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19502Q5B | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5mm x 6mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD19502Q5BT | 13 英寸卷带 | 250 |
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