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CSD19531KCS - 产品图解:



TI芯片:
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- OPA379AIDRG4 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
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- TPS7A0527PDBZR - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- BQ28550-R1EVM - 评估和演示板及套件
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- TPS62046DRCRG4 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器



CSD19531KCS - 100V 10mm2 TO-220,CSD19531KCS
CSD19531KCS是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD19531KCS是100V 10mm2 TO-220,CSD19531KCS,本站介绍了CSD19531KCS的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD19531KCS相关的TI元器件型号供参考。
CSD19531KCS - 100V 10mm2 TO-220,CSD19531KCS - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 热插拔电信应用
- 电机控制
产品说明
这款 100V,6.4mΩ,TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 37 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 7.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 7.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 6.4 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.7 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19531KCS | TO-220 塑料封装 | 管 | 50 | 管 |
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