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CSD19534KCS - 产品图解：
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- TLV9151SQDBVRQ1 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- BQ7694006DBT - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电池管理
- LP3966ET-5.0/NOPB - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
CSD19534KCS - CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD19534KCS是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19534KCS是CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD19534KCS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19534KCS相关的TI元器件型号供参考。
CSD19534KCS - CSD19534KCS 100V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
2 应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品说明
这款 100V，13.7mΩ，TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 16.4 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 3.3 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 16.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 13.7 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阀值电压 | 2.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19534KCS | TO-220 塑料封装 | 管 | 50 | 管 |
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