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CSD19535KTT - 产品图解：
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- SN74AHCT00DR - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
- CD4512BNS - 集成电路（IC） > 逻辑 > 信号开关，多路复用器，解码器
- LMV881EVAL/NOPB - 评估板 - 运算放大器
- TPS40131RHBRG4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
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- MSP430F5244IRGZR - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- TLC2202CPSR - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- CC1100RTKR - 射频和无线 > 射频收发器 IC
CSD19535KTT - CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET
CSD19535KTT是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19535KTT是CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，本站介绍了CSD19535KTT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19535KTT相关的TI元器件型号供参考。
CSD19535KTT - CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
产品应用
- 热插拔
- 电机控制
- 二次侧同步整流器
产品说明
这款 100V、2.8mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
空白
引脚分配。
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 75 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 11 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 3.2 | mΩ |
| VGS = 10V | 2.8 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 2.7 | V | |
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