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CSD19537Q3 - 产品图解：
CSD19537Q3-CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD19537Q3-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD19537Q3-CSD19537Q3 100V N 沟道 NexFET? 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
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TI产品 - CSD19537Q3介绍

CSD19537Q3 - CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET

CSD19537Q3是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19537Q3是CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，本站介绍了CSD19537Q3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19537Q3相关的TI元器件型号供参考。

CSD19537Q3 - CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
  • 一次侧隔离式转换器
  • 电机控制
产品说明

这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

俯视图

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产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压100V
Qg 栅极电荷总量 (10V)16nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极2.9nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 6V13.8mΩ
VGS = 10V12.1mΩ
VGS(th) 阈值电压3.0V
。 订购信息(1)
器件包装介质数量封装运输
CSD19537Q313 英寸卷带2500SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装卷带封装
CSD19537Q3T13 英寸卷带250
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