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CSD19537Q3 - 产品图解：
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- LMK1D1212RHAT - 集成电路（IC） > 时钟/定时 > 时钟缓冲器，驱动器
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CSD19537Q3 - CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD19537Q3是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD19537Q3是CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，本站介绍了CSD19537Q3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD19537Q3相关的TI元器件型号供参考。
CSD19537Q3 - CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET(TM) 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品应用
- 一次侧隔离式转换器
- 电机控制
产品说明
这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
俯视图.
.
产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 16 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷 栅极到漏极 | 2.9 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 13.8 | mΩ |
| VGS = 10V | 12.1 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3.0 | V | |
。 订购信息(1)
| 器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD19537Q3 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3mm x 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD19537Q3T | 13 英寸卷带 | 250 |
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