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CSD23203W - 产品图解：
CSD23203W-CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD23203W-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD23203W-CSD23203W 8V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
TI芯片：
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TI产品 - CSD23203W介绍

CSD23203W - CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD23203W是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23203W是CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD23203W的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD23203W相关的TI元器件型号供参考。

CSD23203W - CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 小封装尺寸
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
2 应用范围
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护
产品说明

这款 16.2mΩ，8V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-8V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)4.9nC
Qgd栅漏栅极电荷0.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.8V35.0mΩ
VGS = -2.5V22.0mΩ
VGS = -4.5V16.2mΩ
VGS(th)电压阀值-0.8V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD23203W30007 英寸卷带1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装卷带封装
CSD23203WT2507 英寸卷带
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