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CSD23203W - 产品图解：
CSD23203W - CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD23203W是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD23203W是CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本页介绍了CSD23203W的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD23203W相关的TI元器件型号供参考。
CSD23203W - CSD23203W8 V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻 RDS(on)
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
2 应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
产品说明
这款 16.2mΩ，8V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -8 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 4.9 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.6 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = –1.8V | 35.0 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 22.0 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 16.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | 电压阀值 | -0.8 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD23203W | 3000 | 7 英寸卷带 | 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 | 卷带封装 |
| CSD23203WT | 250 | 7 英寸卷带 |
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