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CSD25211W1015 - 产品图解：
CSD25211W1015 - P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD25211W1015是TI公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25211W1015是P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本页介绍了CSD25211W1015的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD25211W1015相关的TI元器件型号供参考。
CSD25211W1015 - P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品描述
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 RθJA = 119°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 铜过渡片上测得的典型值。脉宽 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 小尺寸封装 1.0mm x 1.5mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护-3kV
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
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