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CSD25304W1015 - 产品图解：
CSD25304W1015-CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD25304W1015-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD25304W1015-CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
TI芯片：
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TI产品 - CSD25304W1015介绍

CSD25304W1015 - CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD25304W1015是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25304W1015是CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD25304W1015的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25304W1015相关的TI元器件型号供参考。

CSD25304W1015 - CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET? 功率 MOSFET - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小封装尺寸
  • 低高度（高度为 0.62mm）
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
2 应用范围
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护
产品说明

这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压-20V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)3.3nC
Qgd栅漏栅极电荷0.5nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.8V65mΩ
VGS = -2.5V36mΩ
VGS = -4.5V27mΩ
VGS(th)电压阀值-0.8V
订购信息(1)
器件数量介质 封装 出货
CSD25304W101530007 英寸卷带1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装卷带封装
CSD25304W1015T2507 英寸卷带
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