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CSD25402Q3A - 产品图解：
TI芯片：
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- TLE2021ACP - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- TPS7B8333QDCYRQ1W - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- LM311DE4 - 集成电路（IC） > 线性 > 比较器
- TUSB546EVM - 开发板，套件，编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- TPA6101A2DG4 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- INA199A3RSWR - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
CSD25402Q3A - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD25402Q3A
CSD25402Q3A是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD25402Q3A是P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD25402Q3A，本站介绍了CSD25402Q3A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD25402Q3A相关的TI元器件型号供参考。
CSD25402Q3A - P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD25402Q3A - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Low RDS(on)
- Pb and Halogen Free
- RoHS Compliant
- SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
产品应用
- DC-DC Converters
- Battery Management
- Load Switch
- Battery Protection
产品说明
This –20-V, 7.7-mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.
Top ViewProduct Summary
| TA = 25°C | TYPICAL VALUE | UNIT | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | Drain-to-source voltage | –20 | V | |
| Qg | Gate charge total (–4.5 V) | 7.5 | nC | |
| Qgd | Gate charge gate to drain | 1.1 | nC | |
| RDS(on) | Drain-to-source on resistance | VGS = –1.8 V | 74 | mΩ |
| VGS = –2.5 V | 13.3 | mΩ | ||
| VGS = –4.5 V | 7.7 | mΩ | ||
| Vth | Threshold voltage | –0.9 | V | |
Ordering Information(1)
| DEVICE | QTY | MEDIA | PACKAGE | SHIP |
|---|---|---|---|---|
| CSD25402Q3A | 2500 | 13-Inch Reel | SON 3.3 mm×3.3 mm Plastic Package | Tape and Reel |
| CSD25402Q3AT | 250 | 7-Inch Reel |
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