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CSD75207W15 - 产品图解：
CSD75207W15-双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15
CSD75207W15-P通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD75207W15-CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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TI产品 - CSD75207W15介绍

CSD75207W15 - 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15

CSD75207W15是TI德州仪器公司的一款P通道MOSFET晶体管产品，CSD75207W15是双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15，本站介绍了CSD75207W15的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD75207W15相关的TI元器件型号供参考。

CSD75207W15 - 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
    • 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准
2 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载和输入开关
产品说明

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。 此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VD1D2漏极-漏极电压-20V
Qg栅极电荷总量 (-4.5V)2.9nC
Qgd栅漏栅极电荷0.4nC
RD1D2（导通）漏极到漏极导通电阻VGS = –1.8V119mΩ
VGS = -2.5V64mΩ
VGS = -4.5V45mΩ
VGS(th)阀值电压 -0.8V
订购信息(1)
器件封装 介质 数量出货
CSD75207W151.5mm x 1.5mm 晶圆级封装7 英寸卷带3000卷带封装
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