CSD75207W15 - 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15

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CSD75207W15 - 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15 - P通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性

双路 P 通道 MOSFET
共源配置
小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
栅极 - 源电压钳位
栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
- 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

电池管理
电池保护
负载和输入开关

产品说明

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

产品概要

TA = 25°C	典型值	单位
VD1D2	漏极-漏极电压	-20		V
Qg	栅极电荷总量 (-4.5V)	2.9		nC
Qgd	栅漏栅极电荷	0.4		nC
RD1D2（导通）	漏极到漏极导通电阻	VGS = –1.8V	119	mΩ
		VGS = -2.5V	64	mΩ
		VGS = -4.5V	45	mΩ
VGS(th)	阀值电压	-0.8		V

订购信息(1)

器件	封装	介质	数量	出货
CSD75207W15	1.5mm x 1.5mm 晶圆级封装	7 英寸卷带	3000	卷带封装

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