
CSD85312Q3E技术文档下载:
CSD85312Q3E - 产品图解:

TI芯片:
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- LM3880QMF-1AE/NOPB - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源控制器,监视器
- TPS7A6150QKVURQ1 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- TPS62692EVM-076 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > DC/DC 和 AC/DC(离线)SMPS 评估板
- SN74LVT16245ADLR - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- CAVC2T45TDCURQ1 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 转换器,电平移位器
- TLV9154IDYYR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- ADS1256EVM-PDK - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 模数转换器(ADC)评估板



CSD85312Q3E - 双路 20V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,CSD85312Q3E
CSD85312Q3E是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD85312Q3E是双路 20V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,CSD85312Q3E,本站介绍了CSD85312Q3E的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD85312Q3E相关的TI元器件型号供参考。
CSD85312Q3E - 双路 20V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,CSD85312Q3E - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品描述
CSD85312Q3E 是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
产品特性
- 共源连接
- 超低漏极到漏极导通电阻
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子电镀
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
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