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CSD86330Q3D - 产品图解:



TI芯片:
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CSD86330Q3D - 同步降压 NexFET? 电源块 MOSFET 对
CSD86330Q3D是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品,CSD86330Q3D是同步降压 NexFET? 电源块 MOSFET 对,本站介绍了CSD86330Q3D的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD86330Q3D相关的TI元器件型号供参考。
CSD86330Q3D - 同步降压 NexFET? 电源块 MOSFET 对 - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- Half-Bridge Power Block
- 90% System Efficiency at 15 A
- Up to 20 A Operation
- High Frequency Operation (Up To 1.5 MHz)
- High Density – SON 3.3 mm × 3.3 mm Footprint
- Optimized for 5 V Gate Drive
- Low Switching Losses
- Ultra Low Inductance Package
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- Pb-Free Terminal Plating
产品应用
- Synchronous Buck Converters
- High Frequency Applications
- High Current, Low Duty Cycle Applications
- Multiphase Synchronous Buck Converters
- POL DC-DC Converters
- IMVP, VRM, and VRD Applications
产品说明
The CSD86330Q3D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high current, high efficiency, and high frequency capability in a small 3.3 mm × 3.3 mm outline. Optimized for 5 V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5 V gate drive from an external controller/driver.
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Ordering Information(1)
| Device | Media | Qty | Package | Ship |
|---|---|---|---|---|
| CSD86330Q3D | 13-Inch Reel | 2500 | SON 3.3 mm×3.3 mm Plastic Package | Tape and Reel |
| CSD86330Q3DT | 7-Inch Reel | 250 |
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