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CSD87312Q3E - 产品图解：
CSD87312Q3E - CSD87312Q3E
CSD87312Q3E是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD87312Q3E是CSD87312Q3E，本页介绍了CSD87312Q3E的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD87312Q3E相关的TI元器件型号供参考。
CSD87312Q3E - CSD87312Q3E - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品描述
CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
R=63°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。
产品特性
- 共源连接
- 超低漏极到漏极导通电阻
- 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
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