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CSD87333Q3D-高占空比同步降压 NexFET? 3x3 电源块
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TI产品 - CSD87333Q3D介绍

CSD87333Q3D - 高占空比同步降压 NexFET? 3x3 电源块

CSD87333Q3D是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品，CSD87333Q3D是高占空比同步降压 NexFET? 3x3 电源块，本站介绍了CSD87333Q3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87333Q3D相关的TI元器件型号供参考。

CSD87333Q3D - 高占空比同步降压 NexFET? 3x3 电源块 - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品描述

CSD87333Q3D NexFET 电源块是面向同步降压和升压应用的优化设计方案，能够以 3.3mm x 3.3mm 的小外形尺寸提供高电流、高效率以及高频率性能。 已针对 5V 栅极驱动应用进行优化，这款产品在与外部控制器或驱动器配对使用时可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。

产品特性

  • 半桥电源块
  • 已针对高占空比进行优化
  • 高达 24 Vin
  • 电流 8A 时，系统效率达到 94.7%
  • 电流 8A 时，PLoss 1.5W
  • 工作电流高达 15A
  • 高频运行（高达 1.5MHz）
  • 高密度 — 3.3mm x 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅端子镀层

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高占空比应用
  • 同步升压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

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