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CSD87334Q3D - 产品图解：
CSD87334Q3D-CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块
CSD87334Q3D-功率MOSFET模块-功率MOSFET-电源管理
CSD87334Q3D-CSD87334Q3D 同步降压 NexFET? 电源块
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TI产品 - CSD87334Q3D介绍

CSD87334Q3D - CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块

CSD87334Q3D是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品，CSD87334Q3D是CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块，本站介绍了CSD87334Q3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87334Q3D相关的TI元器件型号供参考。

CSD87334Q3D - CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块 - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 半桥电源块
  • 已针对高占空比进行优化
  • 高达 24 Vin
  • 12A 电流时系统效率达 96.1%
  • 12A 电流时 PLoss 为 1.6W
  • 工作电流高达 20A
  • 高频工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
2 应用范围
  • 同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高占空比应用
  • 同步升压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品说明

CSD87334Q3D NexFET™ 电源块是一款面向同步降压和升压应用的优化设计，它能够在 3.3mm × 3.3mm 的小外形尺寸封装内提供高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时，可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。

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增加文本，调节间距器件信息(1)
器件数量包装介质 封装运输
CSD87334Q3D250013 英寸卷带SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装卷带封装
CSD87334Q3DT2507 英寸卷带
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