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CSD87334Q3D - 产品图解：
TI芯片：
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- LM2575HVS-12 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
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- SN74HCS264DR - 集成电路（IC） > 逻辑 > 移位寄存器
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- TPS76818QDR - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- SN74F151BNG4 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 信号开关，多路复用器，解码器
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- OPA2323IDR - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
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- SN74FB2041ARCRG3 - 逻辑 - 专用逻辑
- LM3420M5-4.2 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电池充电器
- 74FCT16244TPVCG4 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- LP2985A-33DBVTG4 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
CSD87334Q3D - CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块
CSD87334Q3D是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品，CSD87334Q3D是CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块，本站介绍了CSD87334Q3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87334Q3D相关的TI元器件型号供参考。
CSD87334Q3D - CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块 - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 半桥电源块
- 已针对高占空比进行优化
- 高达 24 Vin
- 12A 电流时系统效率达 96.1%
- 12A 电流时 PLoss 为 1.6W
- 工作电流高达 20A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度 – 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
2 应用范围
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 高占空比应用
- 同步升压转换器
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品说明
CSD87334Q3D NexFET™ 电源块是一款面向同步降压和升压应用的优化设计，它能够在 3.3mm × 3.3mm 的小外形尺寸封装内提供高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时，可在高占空比应用中提供灵活的解决方案。
增加文本，调节间距顶视图
增加文本，调节间距器件信息(1)
| 器件 | 数量 | 包装介质 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87334Q3D | 2500 | 13 英寸卷带 | SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装 | 卷带封装 |
| CSD87334Q3DT | 250 | 7 英寸卷带 |
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