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CSD87384M - 产品图解：
CSD87384M-同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M
CSD87384M-功率MOSFET模块-功率MOSFET-电源管理
CSD87384M-CSD87384M 同步降压 NexFET 电源块 II (Rev. D)
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TI产品 - CSD87384M介绍

CSD87384M - 同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M

CSD87384M是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品，CSD87384M是同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M，本站介绍了CSD87384M的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87384M相关的TI元器件型号供参考。

CSD87384M - 同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 半桥电源块
  • 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
  • 高达 30A 的工作电流
  • 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅
2 应用范围
  • 同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品说明

此 CSD87384M NexFET™ 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。

增加文本，调节间距 订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD87384M13 英寸卷带25005mm x 3.5mm LGA卷带封装
CSD87384MT7 英寸卷带250
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