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CSD87501L技术文档下载：
CSD87501L - 产品图解：
TI芯片：
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- 74FCT162H501ETPVC - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- UC2843AQD8R - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
- LMH32401-Q1 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 特殊用途放大器
CSD87501L - CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET
CSD87501L是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD87501L是CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD87501L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87501L相关的TI元器件型号供参考。
CSD87501L - CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器
产品特性
- 低导通电阻
- 3.37 × 1.47mm 小外形封装
- 超薄 - 厚度为 0.2mm
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
2 应用范围
- 电池管理
- 电池保护
- USB C 型/PD
产品说明
这款 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。 该器件尺寸小并采用共漏极配置，非常适合多节电池组应用和小型手持设备。
顶视图.
配置产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS1S2 | 源源电压 | 30 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 15 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 6.0 | nC | |
| RS1S2(on) | 源源导通电阻 | VGS = 4.5V | 9.3 | mΩ |
| VGS = 10V | 6.6 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.8 | V | |
。 订购信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD87501L | 7 英寸卷带 | 3000 | 3.37mm X 1.47mm 接合栅格阵列封装 | 卷带封装 |
| CSD87501LT | 7 英寸卷带 | 250 |
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