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CSD87501L - 产品图解:
CSD87501L-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD87501L-CSD87501L 30V 双路共漏极 N 通道  NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) (Rev. A)
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TI产品 - CSD87501L介绍
CSD87501L - CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET

CSD87501L是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD87501L是CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET,本页介绍了CSD87501L的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD87501L相关的TI元器件型号供参考。

CSD87501L - CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • 低导通电阻
  • 3.37 × 1.47mm 小外形封装
  • 超薄 - 厚度为 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
2 应用范围
  • 电池管理
  • 电池保护
  • USB C 型/PD
产品说明

这款 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。 该器件尺寸小并采用共漏极配置,非常适合多节电池组应用和小型手持设备。

顶视图

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配置
产品概要
TA = 25°C 典型值单位
VS1S2源源电压30V
Qg栅极电荷总量 (4.5V)15nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)6.0nC
RS1S2(on)源源导通电阻VGS = 4.5V9.3
VGS = 10V6.6
VGS(th)阈值电压1.8V
。 订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD87501L7 英寸卷带30003.37mm X 1.47mm 接合栅格阵列封装卷带封装
CSD87501LT7 英寸卷带250
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