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CSD87588N - 产品图解：
CSD87588N-同步降压 NexFET 电源块 II
CSD87588N-功率MOSFET模块-功率MOSFET-电源管理
CSD87588N-CSD87588N 同步降压 NexFET 电源块 II (Rev. D)
TI芯片：
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TI产品 - CSD87588N介绍

CSD87588N - 同步降压 NexFET 电源块 II

CSD87588N是TI德州仪器公司的一款功率MOSFET模块产品，CSD87588N是同步降压 NexFET 电源块 II，本站介绍了CSD87588N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD87588N相关的TI元器件型号供参考。

CSD87588N - 同步降压 NexFET 电源块 II - 功率MOSFET模块 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • 半桥电源块
  • 电流 20A 时，系统效率达到 90%
  • 高达 25A 的工作电流
  • 高密度 - 5mm × 2.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅
2 应用范围
  • 同步降压转换器
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
产品说明

此 CSD87588N NexFET™ 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时，均可提一个供高密度电源。

增加文本，调节间距 订购信息(1)
器件介质数量封装出货
CSD87588N13 英寸卷带25005 x 2.5 LGA卷带封装
CSD87588NT7 英寸卷带250
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