

CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND
CSD88539ND是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD88539ND是60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND,本页介绍了CSD88539ND的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD88539ND相关的TI元器件型号供参考。
CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)
产品描述
这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
下面可能是您感兴趣的TI公司N通道MOSFET晶体管元器件


TI公司产品现货专家,订购TI公司产品不限最低起订量,TI产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球TI代理商现货货源 - TI公司(德州仪器)电子元件在线订购