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CSD88539ND-60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND
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TI产品 - CSD88539ND介绍
CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

CSD88539ND是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD88539ND是60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND,本页介绍了CSD88539ND的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD88539ND相关的TI元器件型号供参考。

CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品描述

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2%

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

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