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CSD88539ND - 产品图解：
CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND
CSD88539ND是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD88539ND是60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND，本页介绍了CSD88539ND的产品说明、应用、特性等，并给出了与CSD88539ND相关的TI元器件型号供参考。
CSD88539ND - 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司（Texas Instruments，德州仪器）
产品描述
这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，23mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计运行为低电流电机控制应用中的半桥。
顶视图 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 用于电机控制的半桥
- 同步降压转换器
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