
ISO5851技术文档下载:
ISO5851 - 产品图解:


TI芯片:
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- OPA1678IDGKR - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- DP83847ALQA56A/NOPB - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MSP430F168IRTDR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SN74LS283NSR - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- LMV324IPWRRB - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- TLV431ACDBVT - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
- SN74AHCT273DGVR - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- LMP2234BMTX/NOPB - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- DP83910AN - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- CDCV857AGQLR - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- MSP430I2041TRHBT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- UC2844D8G4 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > DC-DC 开关控制器
- TLE2021BMJGB - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
- LM3S610-IGZ50-C2 - 嵌入式 - 微控制器
- SN65LVDS122PWG4 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- CSD18510KTT - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 34P3216A-CGT - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- SN74LVC3G14DCURG4 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- SN1612011ZQZR - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型



ISO5851 - ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
ISO5851是TI德州仪器公司的一款无产品,ISO5851是ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,本站介绍了ISO5851的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与ISO5851相关的TI元器件型号供参考。
ISO5851 - ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器 - 无 - 隔离式栅极驱动器 - 德州仪器
产品特性
- 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
- 短暂传播延迟:76ns(典型值),110ns(最大值)
- 2A 有源米勒钳位
- 输出短路钳位
- 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警,并通过 RST 复位
- 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
- 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
- 3V 至 5.5V 输入电源电压
- 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
- 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
- 在 VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
- 工作环境温度范围:–40°C 至 125°C
- 安全及管理批准:
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
- CSA 组件接受通知 5A,IEC 60950-1、IEC 60601-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- 已通过所有认证
产品应用
- 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器
- 工业电机控制驱动器
- 工业用电源
- 太阳能逆变器
- 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
- 感应加热
产品说明
ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流和 5A 的灌电流。 输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。 输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。 两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。 76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。 当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。
当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。 FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。 如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
产品器件信息
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
|---|---|---|
| ISO5851 | SOIC (16) | 10.30mm x 7.50mm |
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