• 嵌入式微控制器
  • 时钟频率高达 16MHz 的 16 位精简指令集计算机 (RISC) 架构
  • 宽电源电压范围 （1.8V 至 3.6V） (1)
• 经优化的超低功率模式
  • 工作模式：大约 100µA/MHz
  • 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3）：0.4µA（典型值）
  • 实时时钟 (LPM3.5)：0.25µA（典型值） (2)
  • 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）
• 超低功耗铁电 RAM (FRAM)
  • 高达 64KB 的非易失性存储器
  • 超低功耗写入
  • 125ns 每个字的快速写入（4ms 内写入 64KB）
  • 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储
  • 1015 写入周期持久性
  • 抗辐射和非磁性
• 智能数字外设
  • 32 位硬件乘法器 (MPY)
  • 3 通道内部直接存储器访问 (DMA)
  • 具有日历和报警功能的实时时钟 (RTC)
  • 5 个 16 位定时器，每个定时器具有多达 7 个捕捉/比较寄存器
  • 16 位循环冗余校验器 (CRC)
• 高性能模拟
  • 16 通道模拟比较器
  • 12 位模数转换器 (ADC) 具有内部基准和采样保持 和高达 16 个外部输入通道
• 多功能输入/输出端口
  • 所有引脚支持电容触摸功能，无需外部组件
  • 可每位、每字节和每字访问（成对访问）
  • 所有端口上，从 LPM 中的边沿可选唤醒
  • 所有端口上可编程上拉和下拉
• 代码安全性和加密
  • 针对随机数生成算法的随机数种子
• 增强型串行通信
  • eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持
    • 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
    • IrDA 编码和解码
    • 速率高达 10Mbps 的串行外设接口 (SPI)
  • eUSCI_B0 支持
    • 支持多个从器件寻址的 I2C
    • 速率高达 8Mbps 的串行外设接口 (SPI)
  • 硬件 UART 和 I2C 引导加载程序 (BSL)
• 灵活时钟系统
  • 具有 10 个可选厂家调整频率的定频数控振荡器 (DCO)
  • 低功率低频内部时钟源 (VLO)
  • 32kHz 晶振 (LFXT)
  • 高频晶振 (HFXT)
• 开发工具和软件
  • 自由的专业开发环境 具有 EnergyTrace++™ 技术
  • 开发套件 (MSP-TS430RGZ48C)
• 系列产品成员
  • Section 3 汇总了可用器件变型和封装类型
• 要获得完整的模块说明，请见 《MSP430FR58xx，MSP430FR59xx，MSP430FR68xx 和 MSP430FR69xx 系列用户指南》 (SLAU367)

• 计量
• 能量采集传感器节点
• 可穿戴电子产品
• 传感器管理
• 数据日志

本示例中使用的 MSP430™ 超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。 FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。

MSP430 ULP FRAM 产品组合由多种特有 FRAM 的器件集合，ULP 16 位 MSP430 CPU，和针对不同应用的智能外设组成。 ULP 架构特有 7 个低功耗模式，针对在能源受限应用中延长电池的使用寿命而进行了优化。

• LP38859 - 具有软启动的 3A 快速响应高分辨率 LDO 线性稳压器
• TPS77401-EP - TPS77301/315/316/318/327/ 328/333/350-EP With Reset Output TPS77401/415/418/427/4
• CSD25213W10 - P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25213W10
• EMB1432Q - 14 通道电池组模块模拟前端，符合 AEC Q-100 标准
• LMK00725 - 低偏斜 1 到 5 差动到 3.3V LVPECL 扇出缓冲器
• TPS3805H33-EP - 增强型产品双路电压检测器
• BQ24707A - 具有独立比较器和高级电路保护的 1 到 4 节锂离子电池 SMBus 充电控制器
• TSB42AC3 - 用于工业和桥梁应用领域的高性能 1394-1995 链路层
• CD40161B - 具有异步清零功能的 CMOS 同步可编程 4 位二进制计数器
• DELFINO-ADC12 - 微处理器中的集成模拟外设，对于特殊器件，请参见相关产品。