TLC6C5912-Q1 是一款单片、中等电压、低电流电源 12 位移位寄存器，设计用于需要相对适量负载功率的系统（如 LED）中。

此器件包含一个 12 位串入、并出移位寄存器，此寄存器为一个 12 位 D 类存储寄存器提供数据。 移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升边沿上发生。 当移位寄存器清零(CLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器 。 一个CLR上的低电平将器件中的所有寄存器清零。 将输出使能 (G) 保持为高电平将把输出缓冲器中的所有数据保存为低电平，并且所有漏极输出关闭。 保持G为低电平将使得来自存储寄存器中的数据对于输出缓冲器不可见。 当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS 晶体管的输出被关闭。 当数据为高电平时，DMOS 晶体管输出具有电流吸收功能。 在器件外，串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 的下降边沿上计时以为级联应用提供额外的保持时间。 这可为时钟信号有可能偏斜、器件之间的距离过远或者是系统必须耐受电磁干扰的应用提供了更佳的性能。 此器件包含一个内置的热关断保护。

当 VCC=5V 时，输出为额定值为 40V，具有 50mA 持续电流吸收能力的低侧、开漏 DMOS 晶体管。为了实现额外的器件保护，电流限值会随着结温的上升而减少。 当使用人体模型和 200V 机器模型进行测试时，此器件还可提供高达 2000V 的 ESD 保护。

TLC6C5912-Q1 的特点是其额定运行环境温度范围为 -40°C 至 125°C。

• 3V 至 5.5V 的宽 VCC范围
• 40V 的最大输出额定值
• VCC=5V 时，50mA 持续电流的 12 个功率 DMOS 晶体管输出
• 热关断保护
• 针对多级的增强型级联
• 所有寄存器由单一输入清零
• 低功耗
• 缓开关时间（tr和 tf），这十分有助于减少电磁干扰 (EMI)
• 20 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP)-PW 封装
• 20 引脚 DW 封装