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TPS51604-Q1 - 产品图解:
TPS51604-Q1-用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器
TPS51604-Q1-半桥驱动器-MOSFET和IGBT栅极驱动器-电源管理
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TI产品 - TPS51604-Q1介绍
TPS51604-Q1 - 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1是TI公司的一款半桥驱动器产品,TPS51604-Q1是用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器,本页介绍了TPS51604-Q1的产品说明、应用、特性等,并给出了与TPS51604-Q1相关的TI元器件型号供参考。

TPS51604-Q1 - 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器 - 半桥驱动器 - MOSFET和IGBT栅极驱动器 - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 的下列结果:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C
    • 器件人体模型静电放电 (ESD) 分类等级 H2
    • 器件的充电器件模型 ESD 分类等级 C3B
  • 针对已优化连续传导模式 (CCM) 的精简死区时间驱动电路
  • 针对已优化断续传导模式 (DCM) 效率的自动零交叉检测
  • 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
  • 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟
  • 针对超级本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 开关驱动强度
  • 针对 5V FET 驱动而进行了优化
  • 转换输入电压范围 (VIN):4.5V 至 28V
  • 2mm x 2mm 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) Power-Pad 封装
产品应用
  • 汽车后座娱乐 (RSE) 平板电脑采用高频 CPU,配合以下电源输入使用:
    • 适配器
    • 电池
    • NVDC
    • 5V 至 12V 电源轨
产品说明

TPS51604-Q1 驱动器针对高频 CPU VCORE 应用进行了优化。 具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。

SKIP 引脚提供立即 CCM 操作以支持输出电压的受控管理。 此外,TPS51604-Q1 还支持两种低功耗模式。 借助于三态 PWM 输入,静态电流可减少至 130µA,并支持立即响应。 当 SKIP 保持在三态时,电流可减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 此驱动器与适当的德州仪器 (TI) 控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。

TPS51604-Q1 器件采用节省空间的耐热增强型 8 引脚 2mm x 2mm WSON 封装,工作温度范围为 -40°C 至 125°C。

产品器件信息
部件号封装封装尺寸(标称值)
TPS51604-Q1WSON (8)2.00mm x 2.00mm
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