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TS3DDR3812 - 产品图解:

TI芯片:
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TS3DDR3812 - 用于 DDR3 应用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 开关
TS3DDR3812是TI德州仪器公司的一款无产品,TS3DDR3812是用于 DDR3 应用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 开关,本站介绍了TS3DDR3812的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与TS3DDR3812相关的TI元器件型号供参考。
TS3DDR3812 - 用于 DDR3 应用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 开关 - 无 - HDMI/LAN/VGA/DDR/视频开关 - 德州仪器
产品描述
TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道,1:2 多路复用器/多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电,提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容,从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。
通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组,可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置,使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外,本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关,只需外部连接 SEL1 与 SEL2,便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。
这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟/数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。
产品特性
- 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
- 1.675GHz 的宽带宽
- 低传播延迟(典型值 tpd = 40ps)
- 低位到位偏斜(典型值 tsk(o) = 6ps)
- 低而平坦的导通电阻(典型值 rON = 8Ω)
- 低输入/输出电容(典型值 CON = 5.6pF)
- 低串扰(XTALK = -43dB,这是在 250MHz 时的典型值)
- 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
- 数据 I/O 端口上的轨至轨开关(0 至 VCC)
- 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
- 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
- I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
- 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
- 2000V 人体模型(A114B,II 类)
- 1000V 充电器件模型 (C101)
- 42 引脚 RUA 封装(9mm × 3.5mm,0.5mm 焊球间距)
应用范围
- DDR3 信号开关
- DIMM 模块
- 笔记本/台式机
- 服务器
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