• 宽 VDD 范围：2.375V 至 3.6V
• 高带宽：5.6GHz（单端典型值）；6.0GHz（差分典型值）
• 低开关导通电阻 (RON)：8Ω（典型值）
• 低位间偏差：3ps（典型值）；所有通道的最大值为 6ps
• 低串扰：1067MHz 下的典型值为 –34dB
• 低工作电流：40μA（典型值）
• 具有低功耗模式，电流消耗极低：2µA（典型值）
• IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
• 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
• 静电放电 (ESD) 性能:
  • 3kV 人体模型（A114B，II 类）
  • 1kV 充电器件模型 (C101)
• 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

• NVDIMM 模块
• 企业级数据系统和服务器
• 笔记本／台式机
• 通用 DDR3/DDR4 信号切换
• 通用高速信号切换

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关，可实现 12 位宽总线切换。 该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。 TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统，并且采用一种专有架构，可提供高带宽（单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB）、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。 TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑，并且所有开关均为双向开关，提高了设计灵活性。 此外，TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下，所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。