• 通过 QML V 类 (QMLV) 认证，SMD 5962-86704
• 5962P8670411Vxx： (1)
  • 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 30kRAD (Si) 总电离剂量 (TID)
  • 通过了 45krad/LDR (10mrad/s) 测试条件（符合 MIL-STD-883 测试方法 1019.9 的 3.13.3.b 小节定义的 1.5 倍过量测试）下的功能性测试且在规定的后辐射参数限值范围内
  • 展现出低剂量率灵敏度 (2) 但在 30krad 总剂量水平下仍保持在 MIL-STD-883，TM1019 所允许的预辐射电气限制范围内
• 针对DC-DC 转换器应用进行了优化
• 低启动电流 (< 0.5mA)
• 修整的振荡器放电电流
• 自动前馈补偿
• 逐脉冲电流限制
• 增强型负载响应特性
• 带滞后的欠压闭锁 (UVLO) 保护
• 双脉冲抑制
• 高电流推挽式输出
• 内部调整的带隙参考
• 500kHz 工作频率
• 低 RO 误差放大器
• 支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）

(1) 改进的 TID 辐射性能仅适用于抗辐射加固保障 (RHA) 器件类型 11。(2) 受影响的参数参考输出电压，VREF 辐射漂移曲线（请参见VREF 辐射漂移曲线）。

• 抗辐射加固型 DC-DC 转换器
• 卫星本体和有效载荷
• 太空运载火箭
• 水下布线
• 支持多种拓扑结构：
  • 反激、正激、降压、升压
  • 推挽、半桥、全桥（采用外部接口电路时）

UC1845A-SP 控制集成电路 (IC) 是 UC184x 系列的抗辐射加固型引脚对引脚兼容版本。 主要面向卫星等恶劣环境应用。 该器件提供了控制电流模式开关电源所必需的功能，并且具备下述改进功能。 规定的启动电流不到 0.5mA。 振荡器放电电流调整为 8.3mA。 UVLO 期间，输出级在低于 1.2V 的电压下至少具有 10mA 的灌电流能力（VCC 高于 5V）。

器件比较表显示了该系列各成员器件间的不同之处。 要订购辐射改进型版本（如已提供），请参考相应的产品数据表。

器件型号	封装	封装尺寸（标称值）
UC1845A-SP	CDIP/JG (8)	6.67mm x 9.60mm
	LCCC/FK (20)	8.89mm x 8.89mm
	CFP/HKU (10)	6.48mm x 7.02mm

• TS3L110 - 四路 SPDT 宽频带 10/100 Base-T 局域网开关差动 8 到 4 多路复用器/多路解复用器
• BQ294532 - 用于 2 到 3 节锂离子电池的过压保护器件，具有 4.50v OVP
• TLV7113025 - 采用 1.5mm X 1.5mm SON 封装的双路、200mA 输出、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器
• DS100KR401 - 用于 10G-KR 的 DS100KR401 超低功率 4 线路高级中继器
• CSD17307Q5A - 30V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
• SN74LVC1G14-EP - 增强型产品单路施密特触发反向器
• TPS2501 - 具有升压转换器的集成 USB 电源开关
• SN74LVTH16374-EP - 具有三态输出的增强型产品 3.3V Abt 16 位边沿 D 类触发器
• SN54BCT8245A - 具有八路总线收发器的扫描测试设备
• MSP430F47177 - 16 位超低功耗微控制器，具有 92KB 闪存、8KB RAM、7 个 Σ-Δ ADC 和 LCD 驱动器