UCC27512 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计，UCC27512 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。

UCC27512 提供 4A 拉，8A 灌（非对称驱动）峰值驱动电流能力。 非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。

UCC27512 设计用于在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围和 -55°C 至 125°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路保持 VDD 运行范围之外的输出低电平。 能够运行在诸如 5V 的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如氮化镓 (GaN) 功率半导体器件等新上市宽带隙电源开关器件。

• 低成本、栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
• 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
• 快速传播延迟（典型值 13ns）
• 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 单一电源范围
• 在 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平（以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行）
• TTL 和 CMOS 兼容输入逻辑阀值，（与电源电压无关）
• 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值
• 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
  • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
• 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
• 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
• 6 引脚 DRS（带有散热垫的 3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸 (WSON) 封装）封装