UCC27611 - 用于增强模式 GaN FET 的 4A/8A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27611是TI德州仪器公司的一款低侧驱动器产品，UCC27611是用于增强模式 GaN FET 的 4A/8A 单通道高速低侧栅极驱动器，本站介绍了UCC27611的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与UCC27611相关的TI元器件型号供参考。

UCC27611 - 用于增强模式 GaN FET 的 4A/8A 单通道高速低侧栅极驱动器 - 低侧驱动器 - MOSFET和IGBT栅极驱动器 - 德州仪器

产品描述

UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。分离输出配置可根据 FET 来实现单独的接通和关闭时间优化。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。 2Ω 和 0.3Ω 的上拉和下拉电阻在保证高转换率 dV 和 dt 的前提下提升了对硬开关的抗扰度。

不受 VDD 输入信号阀值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输入上拉和下拉电阻器将输出保持在低电平。 VREF 引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能，此功能在 VREF 电源电压处于运行范围内之前将输出保持在低电平。 UCC27611 采用具有外露散热垫和接地垫的 2mm x 2mm WSON-6 封装 (DRV)，此封装提升了封装功率处理能力。 UCC27611 运行在 -40°C 至 140°C 的宽温度范围内。

产品特性

增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET)(eGANFET)
4.0V 至 18V 单一电源 VDD 范围
驱动电压 VREF 被稳压至 5V
4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（大大增加了高转化率 dV 和 dt 抗扰度）
分离输出配置（针对单个 FET 可实现接通和关闭优化）
快速传播延迟（典型值 14ns）
快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 4ns）
TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响可实现与数字和模拟控制的简便对接）
提供驱动灵活性的双输入设计（包括反相和非反相配置）
当输入悬空时，输出保持低电平
VDD 欠压闭锁 (UVLO)
为了实现简单布局布线，已优化的引脚分配与 eGANFET 封装兼容
具有外露散热垫和接地垫的 2mm x 2mm 薄型小外形尺寸无引线 (WSON)-6 封装（将寄生电感降到最低以减少栅极振铃）
运行温度范围 -40°C 至 140°C

应用范围

开关模式电源
直流 - 直流转换器
同步整流
太阳能逆变器、电机控制、不间断电源 (UPS)
包迹跟踪电源

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