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2N7002LDBZR

  • 制造厂商:TI(中文名:德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-23-3
  • 技术参数:N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
  • (专注销售TI电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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2N7002LDBZR参数详情:

  • 型号:2N7002LDBZR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):6 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3.3V,5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 64mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 pC @ 5 V
  • Vgs(最大值):7V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5 pF @ 6 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 2N7002LDBZR的官网价格:1:$0.23000|3000:$0.09041,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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