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CSD19532KTT

制造厂商：TI（中文名：德州仪器，Texas Instruments）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263（DDPAK-3）
技术参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
（专注销售TI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

CSD19532KTT参数详情：

型号:CSD19532KTT
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:TO-263（DDPAK-3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5060 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
CSD19532KTT的官网价格：1:$3.37000|500:$1.23030，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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