CSD85312Q3E

CSD85312Q3E参数详情：

型号:CSD85312Q3E
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:8-VSON（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N 沟道（双）共源
FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）:20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.4 毫欧 @ 10A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）
CSD85312Q3E的官网价格：1:$1.84000|2500:$0.50659|456:$0.66000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。

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