CAB4 是一款 32 位 1:2 命令/地址/控制缓冲器和 1:4 差分时钟缓冲器，它被设计用于以 1.2V VDD 模式在 DDR4 带寄存器的 DIMM 上的运行。

所有输入是使用外部或内部电压基准的伪差分输入。 所有输出是满摆幅 CMOS 驱动器，此驱动器针对驱动 DDR4 RDIMM，LRDIMM 和 3D 堆叠 DIMM 应用中的 15Ω 至 50Ω 有效端接迹线而进行了优化。 时钟输出、命令/地址输出、控制输出、数据缓冲控制输出可成组启用，并且可采用单独的驱动强度，以补偿不同的 DIMM 网状拓扑结构。 DDR4 寄存器以不同的时钟频率运行（CK_t 和 CK_c）。 输入在 CK_t 变为高电平和 CK_c 变为低电平交叉点时被记录。 如果输入信号 DSC[n:0]_n 中的一个被驱动为低电平，输入信号可被重新驱动至输出，或者它可在满足特定输入条件时被用来访问器件内部控制寄存器。

此器件的特点是可在 -40°C 至 95°C 的温度范围内运行。

• 符合 DDR4RCD01 JEDEC 标准
• DDR4 带寄存器的双列直插内存模块 (RDIMM) 和低负载双列直插内存模块 (LRDIMM) 高达 DDR4-2400
• 32 位 1 至 2 寄存器输出
• 1 至 4 差分时钟缓冲器
• 1.2V 运行
• 具有内部反馈的锁相环 (PLL)
• 可配置驱动器强度
• 可扩展弱驱动器
• 可编程延迟
• 输出驱动器校准
• 地址映射和倒置
• DDR4 完全奇偶校验运行
• 片载可编程 VREF 生成
• CA 总线协商模式
• I2C 接口支持
• 多达 16 个用于支持三维堆叠 (3DS) RDIMM 和 LRDIMM 的逻辑模组
• 多达 4 个用于支持 RDIMM 和 LRDIMM 的物理模组

• SN75LBC182 - 半双工、15kV ESD、1/4 UL 收发器
• SN74SSTU32864C - 具有 SSTL_18 输入和输出的 25 位可配置寄存缓冲器
• UC3854A - 增强型高功率因数前置稳压器
• REF3212 - 采用 SOT23-6 封装的 1.25V 输出 4ppm/°C 温漂静态电流为 100uA 的（带隙）电压参考系列
• ADS4245-EP - 双通道，14 位，125 每秒百万次采样 (MSPS)，超低功耗模数转换器 (ADC)
• SN54ALS1002A - 四路 2 输入正或非缓冲器
• UA78L02A - 3/8 引脚 100mA 固定 2.6V 正电压稳压器
• TPS75401 - 单输出 LDO、2.0A、可调节电压（1.5 至 5V）、电源良好 (PG) 输出、快速瞬态响应
• LM4040B41 - 4.096V 精密微功耗并联电压参考，0.2% 精确度
• BQ24040 - 具有自动启动功能的 1A 单输入单节锂离子电池充电器。Vovp=6.6V | 线性