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CSD13201W10 - 产品图解:
CSD13201W10-N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD13201W10-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD13201W10-N 通道NexFET? 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)_
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TI产品 - CSD13201W10介绍
CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD13201W10是TI公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD13201W10是N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本页介绍了CSD13201W10的产品说明、应用、特性等,并给出了与CSD13201W10相关的TI元器件型号供参考。

CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - TI公司(Texas Instruments,德州仪器)

产品特性
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
产品应用
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
产品说明

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

Top View
Product Summary
TA = 25°CTYPICAL VALUEUNIT
VDS Drain-to-Source Voltage12V
Qg Gate Charge Total (4.5 V)2.3nC
Qgd Gate Charge Gate-to-Drain0.3nC
RDS(on) Drain-to-Source On ResistanceVGS = 1.8 V38
VGS = 2.5 V29
VGS = 4.5 V26
VGS(th) Threshold Voltage0.8V
Device Information(1)
PART NUMBERPACKAGE MEDIA QTYSHIP
CSD13201W101 mm × 1 mm Wafer Level Package7-inch reel3000Tape and Reel
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