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TI产品 - CSD13201W10介绍

CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD13201W10是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品,CSD13201W10是N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,本站介绍了CSD13201W10的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与CSD13201W10相关的TI元器件型号供参考。

CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
产品应用
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
产品说明

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

Top View
Product Summary
TA = 25°CTYPICAL VALUEUNIT
VDS Drain-to-Source Voltage12V
Qg Gate Charge Total (4.5 V)2.3nC
Qgd Gate Charge Gate-to-Drain0.3nC
RDS(on) Drain-to-Source On ResistanceVGS = 1.8 V38
VGS = 2.5 V29
VGS = 4.5 V26
VGS(th) Threshold Voltage0.8V
Device Information(1)
PART NUMBERPACKAGE MEDIA QTYSHIP
CSD13201W101 mm × 1 mm Wafer Level Package7-inch reel3000Tape and Reel
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