TI公司，TI官网，TI代理商
TI(德州仪器)|TI产品型号搜索：
专营TI（德州仪器）元器件，强大的现货交付能力，解决您的采购难题
全流程提供TI（德州仪器）现货供应链服务
当前位置：TI代理 > > TI芯片 >> CSD13201W10
CSD13201W10技术文档下载：
CSD13201W10技术文档产品手册下载
CSD13201W10 - 产品图解：
CSD13201W10-N 通道 NexFET? 功率 MOSFET
CSD13201W10-N通道MOSFET晶体管-功率MOSFET-电源管理
CSD13201W10-N 通道NexFET? 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)_
TI芯片：
承诺原装正品
专营TI德州仪器，真正优化您的供应链
TI产品 - CSD13201W10介绍

CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

CSD13201W10是TI德州仪器公司的一款N通道MOSFET晶体管产品，CSD13201W10是N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，本站介绍了CSD13201W10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与CSD13201W10相关的TI元器件型号供参考。

CSD13201W10 - N 通道 NexFET? 功率 MOSFET - N通道MOSFET晶体管 - 功率MOSFET - 德州仪器

产品特性
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Small Footprint (1 mm × 1 mm)
  • Low Profile 0.62-mm Height
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
产品应用
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
产品说明

This 12-V, 26-mΩ, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.

Top View
Product Summary
TA = 25°CTYPICAL VALUEUNIT
VDS Drain-to-Source Voltage12V
Qg Gate Charge Total (4.5 V)2.3nC
Qgd Gate Charge Gate-to-Drain0.3nC
RDS(on) Drain-to-Source On ResistanceVGS = 1.8 V38mΩ
VGS = 2.5 V29
VGS = 4.5 V26mΩ
VGS(th) Threshold Voltage0.8V
Device Information(1)
PART NUMBERPACKAGE MEDIA QTYSHIP
CSD13201W101 mm × 1 mm Wafer Level Package7-inch reel3000Tape and Reel
下面可能是您感兴趣的TI德州仪器公司N通道MOSFET晶体管元器件
节约时间成本，提高采购效率，TI官网授权代理
TI公司|TI德州仪器|德州仪器TI公司代理商|TI芯片代理商
TI公司产品现货专家，订购TI公司产品不限最低起订量，TI芯片大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球TI代理商现货货源 - TI公司（德州仪器）电子元件在线订购